程美乔

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：反应离子刻蚀NKRF准分子激光NM激光技术更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国激光》《微细加工技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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248 nm KrF准分子激光零级抑制石英相位掩模器的研制被引量：4
《中国激光》1997年第7期623-626,共4页陈根祥 程美乔 葛璜 简水生 王圩 
国家自然科学基金;863计划;国家博士点基金
实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期１．０８５μｍ的石英相位掩...
关键词：相位掩膜 反应离子刻蚀 光栅 激光技术 
Si在SF_6＋N_2中反应离子刻蚀及其剖面的研究被引量：1
《微细加工技术》1995年第1期15-20,共6页程美乔 周帆 赵长威 
本文报导了用ＳＦ＿６＋Ｎ＿２混合气体反应离子刻蚀Ｓｉ及其剖面的实验结果，研究了在刻蚀时，混合气体的成份和射频功率密度对Ｓｉ的蚀速影响以及Ｓｉ的负载效应，通过实验得到了一种获得Ｓｉ的腐蚀垂直剖面的方法，该腐蚀技术在制作...
关键词：反应离子刻蚀 腐蚀剖面 硅 混合气体 
用SF_(6)-N_(2)混合气的反应离子刻蚀制作WSi_(x)微米结构
《Journal of Semiconductors》1990年第5期355-359,共5页程美乔 傅绍云 李建中 
本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验...
关键词：SF_(6)-N_(2)混合气 反应离子刻蚀 WSi_(x)微米结构 
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