在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶  

Epitaxial growth of GaN on sapphire substrate by LP-MOVPE

作　　者：党小忠 张国义[1] 童玉珍[1] 王舒民[1] 

机构地区：[1]北京大学

出　　处：《半导体光电》1996年第1期65-69,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：：研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）方法在Ｃ面及Ｒ面蓝宝石衬底上外延生长ＧａＮ单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对ＧａＮ外延生长的影响；提出了不同的衬底晶向对外延ＧａＮ表面形貌产生影响的机制。Using horizontal reactor LP-MOVPE,the high quality GaN epitaxial lay er is grown on C-plane and R-plane sapphire substrate.The effects of gas flow distrlbu tion and vapour phase reaction in the reactive chamber on the GaN epitaxial growth are dis cussed;and a plausible model is proposed to explain the effect of substrate orientation on the epitaxial GaN surface morphology.

关 键 词：半导体材料 氮化镓 汽相外延 外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]