基于Si_3N_4薄膜的压力传感器  

Pressure sensor based on Si_3N_4 membrane

作　　者：王奇[1] 赵湛[1] 耿照新[1] 方震[1] 曾欢欢[1] 张博军[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室

出　　处：《传感器与微系统》2006年第3期71-73,共3页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207006);中国科学院微系统创新项目

摘　　要：采用微机电系统（MEMS）技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。基于Si3N4压力敏感膜，利用MEMS技术，设计了一种用于测量气压的传感器。采用应变电阻原理对压力进行测量，进行了理论分析计算，设计了工艺过程，制作出了器件样片。这种压力传感器的显著优点是结构简单、工艺过程容易。并且，在50—100kPa的压力条件下，对传感器进行了测试，其精度达到了0．5％。Sensors based on microelectromechanial system（MEMS） technology have the advantages of small size, less weight and low cost. A pressure sensor based on Si3N4 pressure sensitive membrane with MEMS technology is designed. Strain gauge is used to measure the pressure. The characteristics of the sensor are calculated and simulated,process is designed,and a sample sensor is made out. The remarkable advantages of the sensors are simple structure and easy process. The sensor is tested under the condition of 50 - 100 kPa,and its precision is 0.5 %.

关 键 词：微机电系统 压力传感器 氮化硅 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]