射频溅射制备m0—Ge／SiO2多层膜  

作　　者：崔敬忠[1] 彭军[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第1期145-146,共2页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

摘　　要：射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...

关 键 词：射频溅射法 二氧化硅 锗 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]