彭军

作品数：6被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文主题：溅射制备射频硼富勒烯电学性质更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《兰州大学学报（自然科学版）》《光电子技术》《甘肃科学学报》更多>>
所获基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CN_x薄膜的PCVD制备及研究
《甘肃科学学报》1996年第3期14-16,共3页彭军 彭应全 姚江宏 陈光华 
甘肃省自然科学基金
ＣＮｘ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法（ＰＣＶＤ），制备出了含氮量为２１ａｔ％的ＣＮｘ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜中氮元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ...
关键词：薄膜 气相淀积 氮化碳 PCVD 制备 
CVD金刚石膜用作TaN_2热敏打印头表面保护层的研究
《光电子技术》1996年第2期131-136,共6页姚江宏 彭军 王志勇 陈光华 
报道了用微波等离子体化学气相淀积（MWCVD）技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺，以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法，从实验上...
关键词：金刚石薄膜 化学气相淀积 热敏打印头 
射频溅射制备m0—Ge／SiO2多层膜
《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第1期145-146,共2页崔敬忠 彭军 
射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的...
关键词：射频溅射法 二氧化硅 锗 薄膜 
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究被引量：1
《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第1期147-148,共2页姚江宏 彭军 
国家自然科学基金
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功［２］，在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极大兴趣和关注．考虑...
关键词：富勒烯 硼 薄膜 电学性质 
射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析
《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第1期46-48,共3页彭军 崔敬忠 
报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单昌硅衬底上制备碳氮非晶薄膜，并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究。分析结果表明该膜中氮主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｎ键形式与碳结合。
关键词：结构 退火 碳氮薄膜 射频浅射法 
p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第3期154-159,共6页张福甲 彭军 
甘肃省自然科学基金
用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份...
关键词：化合物半导体 GAP 欧姆接触 冶金 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部