低压化学气相淀积计算机模拟  

Comupter Modling of Low Pressure Chemical-Vapor-Deposition

作　　者：徐大为[1] 李伟华[1] 周再发[1] 

机构地区：[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096

出　　处：《电子器件》2006年第1期241-243,247,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：讨论了一个二驱动模型,分析气体在淀积过程中的反应机理,将气体的淀积过程分为各向同性和各向异性的结合。在此基础上提出一个LPCVD二维淀积模型,模型考虑了中间产物的作用,将粘滞系数转换为各向同性和各向异性(Runi/Rd)的比值,这个模型在结构上比较简单,计算方便,因此能得到与实际较为符合的结构。通过C语言编程将模型变为程序,使用线算法使得程序较为简单,计算速度非常快。利用该软件在给定的工艺条件下模拟得到符合实验数据的结果。A two precursor model was discussed. Depending on the discussion of transmission mechanism under low pressure and the reaction result of deposition a LPCVD（low pressure chemical-vapor-deposition） model was got. This model is two dimensions. In order to have a better result, we consider intermediate products in this model which change Sc to the value of Runi/Rd. It is programmed by C＋＋ and the stringalgorithm, so it is easy to calculate. By using software we get a result very close to the experiment result.

关 键 词：LPCVD 淀积模拟 计算机模拟 线算法 

分 类 号：TQ018[化学工程]