In_2O_3纳米线制备及其特性  

Fabrication and Characteristics of In_2O_3 Nanowires

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 高超[1] 刘斌[1] 李亮[1] 修向前[1] 朱顺明[1] 顾书林[1] 韩平[1] 江若琏[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第3期536-540,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305);国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);国家自然科学基金(批准号:6039070;6039072;60476030);国家杰出青年基金(批准号:60025411);江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助项目~~

摘　　要：使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.In2O3 nanowires are fabricated successfully with a high temperature tube furnace. SEM photos show the formation of the nanowires. XRD analyses indicate that the In2O3 nanowires are cubic crystals. XPS analyses indicate that there are many oxygen defects in the In2O3 nanowires. The In2O3 nanowires can emit very bright ultraviolet light at 396nm, which is detected by PL. The emission and reaction mechanisms are discussed in detail at last.

关 键 词：IN2O3 纳米线 X射线衍射 扫描电子显微镜 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]