砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究  

作　　者：范缇文[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体材料科学实验室

出　　处：《电子显微学报》1996年第6期517-517,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入ＧｅＳｉ合金再经热退火，发现其中...

关 键 词：硅化锗 合金 沉淀相 砷 离子注入 

分 类 号：TG131[一般工业技术—材料科学与工程]