用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材及其制备方法  

机构地区：[1]日本株式会社日矿材料

出　　处：《表面技术》2006年第2期20-20,共1页Surface Technology

摘　　要：本发明涉及由HfSi[0.05-0.37]组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良，并适合于形成可取代SiO2膜用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜，本发明也涉及靶材的制备方法。

关 键 词：氧化物膜 制备方法 靶材 硅化 铪 SiON膜 SIO2膜 加工性能 绝缘膜 发明 

分 类 号：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业] TB43[化学工程—硅酸盐工业]