半导体化合物Hg_（1－x）Cd_xTe中x值的测定  

作　　者：孙丽虹[1] 张启海[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1996年第2期149-152,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：半导体化合物Ｈｇ_（１－ｘ）Ｃｄ_ｘＴｅ具有大的光学吸收系数，适于制波长为８～１４μｍ的红外探测器。由于禁带宽度随化合物的组分而变化，在Ｈｇ_（１－ｘ）Ｃｄ_ｘＴｅ中ｘ值的变化对红外探测器的性能有根大影响。本文用配有ＴＮ－５５００能谱仪的ＪＳＭ－８４０扫描电镜测定此化合物中不同试样的ｘ分布值。用从实验中得到的镉的重量百分比计算出每种试样２５个点的ｘ值、ｘ的平均值及均方差，测量误差为４．５％，ｘ平均值的计算结果与用Ｘ荧光方法测量的ｘ值一致。

关 键 词：HGCDTE 组分 吸收率 扫描电镜 半导体化合物 

分 类 号：TN304.207[电子电信—物理电子学]