永磁微波ECR等离子体CVD低温淀积SiNx薄膜  

作　　者：叶超[1,2] 宁兆元[1,2] 金宗明[1,2] 薛青[1,2] 沈明荣[1,2] 汪浩[1,2] 

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室 [2]苏州大学分析测试中心

出　　处：《功能材料》1996年第4期339-341,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：发展了永磁微波ＥＣＲ等离子体ＣＶＤ低温淀积氮化硅薄膜的技术，在低于６０℃的基片温度下。

关 键 词：氮化硅 低温淀积 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]