GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性  

作　　者：蔺何[1] 段海明[1] 

机构地区：[1]新疆大学物理系,乌鲁木齐830046

出　　处：《科学通报》2006年第8期903-907,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：10347010）资助.

摘　　要：运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验结果吻合．在包含两个Cr原子的体系中,Cr原子之间是铁磁性偶合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近．对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这与晶体的能带计算方法得到的结果一致．

关 键 词：稀磁半导体 密度泛函理论 原子团模型 第一性原理计算 电子结构 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]