金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究  

作　　者：徐彭寿[1] 徐世红[1] 潘海滨[1] 陆尔东[1] 朱警生[2] 刘先明[2] 麻茂生[2] 

机构地区：[1]中国科技大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]中国科技大学结构分析开放实验室,合肥230026

出　　处：《真空科学与技术》1996年第2期121-125,共5页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家教委博士点专项科研基金

摘　　要：用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。

关 键 词：金属夹层 半导体 异质结 能带偏离 砷化镓 锗 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O471.5[理学—半导体物理]