Bias Current Compensation Method with 41.4% Standard Deviation Reduction to MOSFET Transconductance in CMOS Circuits  

用于降低CMOS集成电路中晶体管跨导标准差的偏置电流补偿电路(英文)

作　　者：冒小建[1] 杨华中[1] 汪蕙[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第5期783-786,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90407011,60025101,90207001,90307016)~~

摘　　要：A simple and successful method for the stability enhancement of integrated circuits is presented. When the process parameters, temperature, and supply voltage are changed, according to the simulation results, this method yields a standard deviation of the transconductance of MOSFETs that is 41.4% less than in the uncompensated case. This method can be used in CMOS LC oscillator design.介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41·4 %.这种电路可以用于CMOS LC振荡器中.

关 键 词：CMOS TRANSCONDUCTANCE integrated circuits TRANSISTOR 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]