PLD法薄膜沉积条件对ZnO薄膜特性的影响  

The influence of growing parameter on the performance of ZnO film in PLD

作　　者：郭茂田[1] 田臻锋[2] 陈兴科[2] 

机构地区：[1]中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥230031 [2]郑州大学物理工程学院,郑州450052

出　　处：《激光杂志》2006年第3期57-58,共2页Laser Journal

摘　　要：介绍了基于PLD方法制备的ZnO薄膜,在衬底温度(200-400℃)改变的情况下,分别对薄膜的表面结构和光致发光的情况做了研究,发现其相关特性并得出了制备薄膜的最佳条件。ZnO film has been fabricated by pulse laser deposition（ PLD） technique, The substrate temperatures were controled from 400℃ to 6000℃ . The structure of ZnO film and the effect of temperatures on the PLD samples were studied by X - ray diffraction（ XRD） and PL spectra.

关 键 词：ZNO薄膜 PLD 衬底温度 

分 类 号：TN248.1[电子电信—物理电子学]