氮化镓薄膜制备技术及专用装置  

机构地区：[1]武汉大学

出　　处：《表面技术》2006年第3期47-47,共1页Surface Technology

摘　　要：本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源泉物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500～600℃）下，通过载能镓离化团簇束和N^＋离子束直接在衬底进行化学反应生成氮化镓晶体薄膜。本发明还提出用ZnO作缓冲层实现在Si衬底上生长氮化镓晶体膜，进一步降低了氮化镓薄膜的生产成本。

关 键 词：氮化镓薄膜 专用装置 制备技术 化学活性 SI衬底 专用设备 制备方法 供气方式 反应气体 晶体薄膜 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] U469.7[机械工程—车辆工程]