用于应变硅和化合物半导体的锗前驱物  

作　　者：Egbert Woelk Deo Shenai Peter Storck Isabelle Sagnes 

机构地区：[1]Rohm and Haas Electronic Materials [2]Siltronic AG [3]LPN-CNRS

出　　处：《集成电路应用》2006年第6期22-23,共2页Application of IC

摘　　要：随着Ge重要性的提高,需要寻找比GeH4更适用的前驱物。本文对用于应变Si和化合物半导体集成电路的两种新型Ge前驱物的品质特性进行了探讨。

关 键 词：化合物半导体 前驱物 应变硅 半导体集成电路 品质特性 锗 Ge SI 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]