电荷泵电路功耗优化设计及改进  

Power Consumption Optimization and Improvement of Charge Pump Circuits

作　　者：阙金珍[1] 刘红侠[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071

出　　处：《微电子学》2006年第3期373-376,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金(60206006);国家高技术研究发展计划(2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划资助项目(104172)

摘　　要：通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。An optimized strategy for designing charge pump circuits with minimum power consumption is presented based on a simple analytical model. For a given input and an output voltage, the approach allows designers to define the number of stages that maximize power efficiency. Coupling capacitor value is then set to provide the current capability required. The body effect is eliminated by improving the traditional charge pump circuits. This approach is validated through simulations on HHNEC 0.35μm EEPROM CMOS technology.

关 键 词：电荷泵 功耗 EEPROM 优化设计 

分 类 号：TN495[电子电信—微电子学与固体电子学]