N^+注入硅RTA样品的蓝绿光发射  

作　　者：刘渝珍[1] 石万全[1] 陈建新[2] 李玉芝[3] 陈志坚[1] 孙景兰[1] 柳雪君 刘振祥[4] 张裕恒 沈光地[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学研究生院,北京100039 [2]北京工业大学电子工程系,北京100022 [3]中国科学技术大学结构中心,合肥230026 [4]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》1996年第12期1083-1085,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：中国科技大学结构分析开放实验室资助课题;北京市光电子技术实验室资助课题

摘　　要：自发现多孔硅在室温下可以发射可见光以来,人们对量子尺寸限制效应的研究兴趣剧增。由于多孔硅结构疏松,不利于广泛应用,人们开始将注意力转移到纳米硅薄膜的研究。朱美芳等人利用非晶硅薄膜快速退火处理,获得连续纳米硅薄膜,并观察到蓝绿光发射,但在脱氢过程中,纳米硅薄膜易损坏。本文通过高剂量N^+注入到硅基体上,经快速退火形成硅与氮化硅镶嵌结构的大面积的纳米硅薄膜,T≥1000℃退火后的样品,观测到有稳定的蓝绿光(500～610nm)发射。

关 键 词：纳米硅 蓝绿色发光 离子注入 快速退火 薄膜 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]