0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN Power HEMTs on Sapphire with f_T of 77GHz  

f_T为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件(英文)

作　　者：郑英奎[1] 刘果果[1] 和致经[1] 刘新宇[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第6期963-965,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：MOCVD-grown 0.25μm gate-length AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） are fabricated on sapphire substrates. A peak extrinsic transconductance of 250mS/mm and a unity current gain cutoff frequency （fT） of 77GHz are obtained for a 0.25μm gate-length single finger device. These power devices exhibit a maximum drain current density as high as 1.07A/mm. On-chip testing yielded a continuous-wave output power of 27. 04dBm at 8GHz with an associated power-added efficiency of 26. 5% for an 80 × 10μm device.在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.

关 键 词：GAN sapphire substrate high electron mobility transistor 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]