半导体瞬态问题的二次有限体积元方法及分析  

Quadra tic Finite Volume Element Method for the Transient Behavior of a Semiconductor Device

作　　者：陈传军[1] 

机构地区：[1]山东大学数学与系统科学学院

出　　处：《工程数学学报》2006年第4期725-728,共4页Chinese Journal of Engineering Mathematics

基　　金：国家重点基础研究专项经费(G1999032803)国家自然科学基金(10372052;10271066)教育部博士点基金(20030422047).

摘　　要：对于半导体瞬态问题的数学模型,我们采用Lagrange型分片二次多项式空间和分片常数函数空间分别作为试探函数和检验函数空间,构造了该问题的全离散二次有限体积元格式,并进行误差分析,得到了次优阶L2模误差估计结果。The transient behavior of a semiconductor device was studied in this paper by using piecewise Lagrange quadratic trial function and piecewise constant test ruction, we derived a fully discrete finite volume element method for this problem and obtained a suboptimal L^2 error estimates.

关 键 词：半导体 二次元 有限体积元方法 误差估计 

分 类 号：O241.82[理学—计算数学]