半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展  

Recent advances of ZnO films prepared by pulsed laser deposition

作　　者：何建廷[1] 庄惠照 薛成山 田德恒 吴玉新 赵婧 刘亦安 薛守斌 胡丽君 

机构地区：[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014 [2]不详

出　　处：《中国学术期刊文摘》2006年第14期5-5,共1页Chinese Science Abstracts(Chinese Edition)

摘　　要：基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现，ZnO薄膜成为新的研究热点．综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜．

关 键 词：半导体技术 脉冲激光沉积 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压 

分 类 号：TN713.1[电子电信—电路与系统] TN304.21