Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观  

作　　者：任天令[1] 朱嘉麟[1] 熊家炯[1] 张春波 陈曦[1] 

机构地区：[1]清华大学现代应用物理系

出　　处：《物理》1996年第11期662-665,共4页Physics

基　　金：国家"863"计划资助项目

摘　　要：回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益；（４）量子线、量子点及稀磁半导体。

关 键 词：Ⅱ-Ⅵ族 半导体 P型掺杂 欧姆接触 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] TN305.3