基于0.6 μm CMOS工艺的单片集成有源电感设计  

作　　者：吉小冬[1] 孙玲[2] 包志华[2] 

机构地区：[1]东南大学集成电路学院 [2]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室

出　　处：《中国集成电路》2006年第8期49-52,共4页China lntegrated Circuit

基　　金：江苏省高技术项目(BG2005022);南通大学自然科学基金资助项目(05Z114)

摘　　要：采用0.6μmCMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计,其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成,电感值可受直流偏置控制,占用面积小。仿真结果表明,该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-1GHz,600MHz频率处电感的Q值达到26,等效电感值为400nH。

关 键 词：有源电感 单片集成 CMOS工艺 场效应晶体管 频率范围 电路原理图 直流偏置 仿真结果 

分 类 号：TM55[电气工程—电器]