氧化铟锡薄膜材料开发现状与前景  

作　　者：李玉增[1] 赵谢群[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1996年第6期455-458,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：综述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜透明导体材料的结构与光、电特性，分析了研制与开发现状。

关 键 词：ITO薄膜 薄膜 物理气相沉积 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]