SOI高温压力传感器的研究  

Research of SOI High Temperature Pressure Sensor

作　　者：张书玉[1] 张维连[1] 索开南[1] 牛新环[1] 张生才[2] 姚素英[2] 

机构地区：[1]河北工业大学半导体材料研究所,天津300130 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《传感技术学报》2006年第4期984-987,共4页Chinese Journal of Sensors and Actuators

摘　　要：介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。This paper reports the fabrication processes of SOI pressure sensor. The results of measurement on SOI pressure sensors reveal that the output voltage is not changed obviously at 220℃, it is suggested that the design of high temperature SOl pressure sensor was rational. Comparing with poly-Si pressure sensor with the same layout design and process parameters, the SOI pressure sensor had a good property of high-temperature,and the sensitivity of SOI pressure sensor was much higher.

关 键 词：压力传感器 SOI 灵敏度 有限元 

分 类 号：TN305.95[电子电信—物理电子学] TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]