利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法  

A Method for Locating the Position of an Oxide Trap in a MOSFET by RTS Noise

作　　者：鲍立[1] 包军林[1] 庄奕琪[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第8期1426-1430,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60276028)~~

摘　　要：强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0·18μm×0·15μmnMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.The timing characteristics of random telegraph signal （RTS） in deep submicron MOS devices are investigated,and a novel method is proposed to determine the spatial distribution of the border traps by forward and backward RTS measurements in the non-saturation state. The measurements of a 0. 18μm × 0. 15μm nMOS device show that the two-dimension position of the trap in the oxide of a deep submicron MOS device can be precisely calculated with this method. This method can also evaluate the reliability of deep submicron MOS devices.

关 键 词：RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 可靠性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]