GaN基激光器电子阻挡层的优化分析  

Optimization of the Electron Blocking Layer in GaN Laser Diodes

作　　者：李倜[1] 潘华璞[1] 徐科[1] 胡晓东[1] 

机构地区：[1]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第8期1458-1462,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60477011;60476028;60406007;60276010);国家高技术研究发展计划(批准号2001AA313110;2001AA313060;2001AA313140;2005AA31G020)资助项目~~

摘　　要：从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.In view of the transport mechanism of electrical carriers, the factors involved in the current overflow in GaN-based laser diodes are analyzed,and the aluminum mole fraction as well as the p-doping concentration of the AlGaN electron blocking layer are optimized. The results indicate that the appropriate barrier height （the Al mole fraction） is lower when the p- doping concentration is higher.

关 键 词：半导体激光器 GAN ALGAN 电子阻挡层 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]