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作 者:吕凤军[1] 斯永敏[2] 傅国如[1] 徐志刚[1]
机构地区:[1]北京航空工程技术研究中心,北京100076 [2]国防科技大学航天与材料工程学院,湖南长沙410073
出 处:《半导体光电》2006年第4期419-422,共4页Semiconductor Optoelectronics
摘 要:采用磁控溅射工艺制备了TbDyFe-FeNi多层膜/光纤复合结构,并搭建M-Z干涉仪磁场检测系统对复合结构的磁敏性能进行试验测试。实验结果表明,在调制磁场频率为复合结构的固有频率的条件下,系统对磁场信号感应强度最大;系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加,添置恒定直流磁场后,系统响应信号大小明显增强。在0~48kA/m的直流磁场范围内,干涉仪(传感臂有效长度为10cm)信号响应灵敏度为6.05×10^-5rad/(√Hz·kA·m^-1);当多层膜厚度增加到5/Lm时,干涉仪信号响应灵敏度变为6.07×10^-5rad/(√Hz·kA·m^-1)。By using DC magnetron sputtering, the composite structure of TbDyFe-FeNi multilayers is prepared,and its property of magnetic sensitivity is tested by M-Z interferometer. The results show that the sensors exhibit the largest responses against applied magnetic fields at the intrinsic frequency of the composite structure,and there is a good linearity between the output signal and the AC magnetic field. The detection sensitivity of 6.05×10^-5rad/(√Hz·kA·m^-1)is demonstrated in the range of 0~48 kA/m for the the effective cantilever length of 0.1 m,and the detection sensitivity of 6.07×10^-5rad/(√Hz·kA·m^-1)) is realized when the thickness of multilayers is 5 μm.
分 类 号:TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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