偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正  

Off-Target Model-Based OPC

作　　者：陆梅君[1,2,3] 金晓亮 毛智彪 梁强 

机构地区：[1]上海宏力半导体制造有限公司 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 [3]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《半导体技术》2006年第9期673-675,679,共4页Semiconductor Technology

基　　金：上海浦东新区专项基金项目(PKJ2004-58)

摘　　要：提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,节省了光罩出版的时间。A newly model-based OPC （MBOPC） is provided, off-target MBOPC, which has close relationship with process window and the model is sensitive with process parameters variations. The OPC modifications guided by the model are robust within the process window. At the same time the model reduced the cycle-time of model-built and save the time of mask tape-out.

关 键 词：偏离最佳 光学邻近效应 制程窗口 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]