先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响  

Effect of Advanced Process on the Total Dose Irradiation of MOS Device

作　　者：刘远[1,2] 恩云飞[3] 李斌[1] 师谦[3] 何玉娟[1,2] 

机构地区：[1]华南理工大学微电子研究所 [2]信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610 [3]信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室

出　　处：《半导体技术》2006年第10期738-742,746,共6页Semiconductor Technology

基　　金：重点基金项目(6140438);国家级重点实验室基金项目(51433030404DZ1501)

摘　　要：器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。The decrease of the gate oxide, the differences of field oxides processing and the selection of the substrate materials will all affect the total dose radiation effects of MOS devices. The sub-threshold slope, threshold voltage shift, substrate technique and the anti-radiation ability of field oxides are the four main impacts on the device fabrication in size scaling down. The effects of above conditions, high k dielectric/Si system and the selection of SOI as the substrate materials on the total dose radiation effects were reviewed.

关 键 词：辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]