ZnO薄膜的缺陷研究进展  

Review of Defects Study of ZnO Films

作　　者：林益梅[1] 叶志镇[1] 陈兰兰[1] 朱丽萍[1] 黄靖云[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第5期385-391,共7页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家重点基础研究专项经费"973"(No.G20000683)

摘　　要：ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心,影响薄膜器件性能;层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件,必须研究ZnO薄膜的缺陷特性,文章对此进行了详细阐述.The latest progress in defects study of ZnO films, such as its growth techniques, its formation mechanisms, its influence on ZnO semi-conducting materials and on photo-electronic devices made of ZnO semi-conducting materials and on photo-electronic devices made of ZnO, etc, has been tentatively reviewed with discussion focused on technological applications.

关 键 词：ZNO薄膜 点缺陷 位错 堆垛层错 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]