后CMOS器件的候选者  

Candidates of Post CMOS Devices

作　　者：袁明文[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2006年第11期505-507,529,共4页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。Several new devices which are the candidates of post CMOS devices possibly were introduced, including resonant tunneling transistors, single-electron transistors, CNTFETs, molecular devices and spin transistors.

关 键 词：互补金属氧化物半导体 晶体管 后CMOS器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]