IGBT发展概述  

IGBT, Insulated gate bipolar transistor

作　　者：亢宝位[1] 

机构地区：[1]北京工业大学

出　　处：《电力电子》2006年第5期10-15,共6页Power Electronics

摘　　要：本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近(下层)结构改进(透明集电区)、耐压层附近(中层)结构改进(NPT、FS/SPT等)和近表面层(上层)结构改进(沟槽栅结构、注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT、Trench IGBT、FS-IGBT、Trench FS- IGBT、SPT、SPT+、IEGT、HiGT、CSTBT等。The development of IGBT is presented in this paper .It includes the new concepts： transparent collector,FS,trench gate and injection enhanced and the New sorts products： PT-IGBT, FS-IGBT, TrenchIGBT, IEGT, HiGT.

关 键 词：IGBT 结构改进 性能改进 增强结构 IEGT SPT 集电区 集电结 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]