集电区

作品数：29被引量：33H指数：3
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一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计被引量：2
《电子器件》2023年第6期1480-1483,共4页曾伟 武华 冯秀平 陈翰民 姚佳 杨煌虹 
国家自然科学基金项目(61650404);江西省教育厅科技项目(GJJ201411)。
提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构,在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层,通过加入的N型高阻层增加集电极电阻,同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 无电压回跳 N+集电区 反向恢复电流 
基于三极管放大电路原理条件的分析被引量：1
《新型工业化》2020年第6期29-31,共3页郭泽宇 
模拟电子技术基础的精髓就是放大,将微小的信号放大成较大的电流信号。而PN结一般不会直接运用到电路中,但将PN结稍作改变,变成三极管,则可以直接运用到电路中起放大作用。放大电路好坏的评判要看其性能指标,本文注重分析三极管的结构...
关键词：三极管 发射区 基区 集电区 放大倍数 输入输出电阻 通频带 
具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT被引量：1
《北京工业大学学报》2016年第7期994-1000,共7页金冬月 王肖 张万荣 高光渤 赵馨仪 郭燕玲 付强 
中国博士后科学基金资助项目(2015M580951);北京市博士后科学基金资助项目(2015ZZ-11)
为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷...
关键词：SiGe异质结双极晶体管(HBT) 超结 击穿电压 
具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT被引量：1
《北京工业大学学报》2015年第9期1321-1325,共5页金冬月 胡瑞心 张万荣 高光渤 王肖 付强 赵馨仪 江之韵 
国家自然科学基金资助项目(61006059);北京市自然科学基金资助项目(4143059)
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然...
关键词：应变Si/SiGe HBT 选择性注入集电区 击穿电压 电流增益 
全国休闲农业与乡村旅游示范县建设典范之吉林省吉林市丰满区
《休闲农业与美丽乡村》2015年第1期14-21,共8页
丰满区地处素有北国江城美誉的吉林省吉林市南部,松花湖,拥松花江,东靠朱雀山,西依磨盘山,环山报水,人杰地灵。是吉林市四个行政区之一,也是吉林市重点旅游集电区。全区总幅员面积1066.7平方公里,下辖三乡、一镇、六个街道、一个省级经...
关键词：吉林市丰满区 旅游农业 休闲农业 集电区 示范县建设 磨盘山 人文景观 乡村文化 三乡 四山 
不能用2个二极管倒接代替三极管
《农村电工》2014年第8期48-48,共1页
请问三极管内部由2个PN结构成，能否将2个二极管倒接后代替三极管？ 虽然三极管内部是由2个PN结构成的，但是不能用2个二极管倒接代替。因为构成三极管的2个PN结．把整个半导体分成3个不同的导电区，即发射区、基区和集电区。
关键词：三极管 二极管 导电区 半导体 PN结 发射区 集电区 结构 
IGBT结构及其应用特点被引量：1
《今日电子》2014年第4期49-52,共4页刘松 
IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性,增强对IGBT的认知感,从而正确的区别和选取不同结构的IGBT,满足实际应用的要求。
关键词：饱和压降 基区 集电区 IGBT 过剩载流子 认知感 少子 开关损耗 少数载流子寿命 平面型 
双极晶体管的存储时间问题——开关管存储时间与集电区少子寿命无关
《物理通报》2013年第10期94-96,共3页方群 
根据双极晶体管集电区少子存储可以忽略，提出了存储时间必然和集电区少子寿命无关的论点，并给出了一种验证该论点的简单实验方法．
关键词：饱和 存储时间 超量存储 少子寿命 基区宽度 正偏 
非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第3期275-280,共6页钱文生 刘冬华 胡君 段文婷 石晶 
国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)和(2011ZX02506)
介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器...
关键词：超高压 锗硅异质结双极晶体管 击穿电压 二维集电区 
光电子技术与器件 光放大、控制与器件
《中国光学与应用光学》2007年第5期72-73,共1页
关键词：光放大 光谱响应 频率响应 频率特性 器件 微通道板 半导体光放大器 紫外像增强器 光电子技术 环形腔 微光夜视仪 目镜系统 集电区 
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