IGBT结构及其应用特点  

作　　者：刘松 

机构地区：[1]万国半导体元件有限公司

出　　处：《今日电子》2014年第4期49-52,共4页Electronic Products

摘　　要：IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性,增强对IGBT的认知感,从而正确的区别和选取不同结构的IGBT,满足实际应用的要求。

关 键 词：饱和压降 基区 集电区 IGBT 过剩载流子 认知感 少子 开关损耗 少数载流子寿命 平面型 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]