集电结

作品数：36被引量：35H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：金冬月陈蕊罗小蓉胡辉勇徐小波更多>>
相关机构：北京工业大学电子科技大学电子科技大学广东电子信息工程研究院燕山大学更多>>
相关期刊：《微处理机》《长江工程职业技术学院学报》《微电子学》《半导体技术》更多>>
相关基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究
《微电子学》2018年第4期496-499,514,共5页徐小波 李瑞雪 
国家自然科学基金资助项目(61504011);中国博士后基金资助项目(2013M540732);中央高校基本科研业务费资助项目(300102328111)
研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构。首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处。然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间模型。最后,讨论了渡越时间与集电区掺杂浓度、集电结电压、...
关键词：SIGE 绝缘体上硅 BICMOS 
SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究被引量：1
《微电子学》2015年第5期681-684,共4页徐小波 王晓艳 李艳波 胡辉勇 葛建华 
中国博士后科学基金资助项目(2013M540732);陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8344)
根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型。结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结偏置电压、传输电流有关,电流的增加恶化了渡越时间,进一步恶化了器件性能。所建模型与仿真结...
关键词：HBT 渡越时间 绝缘体上硅 
IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
《半导体技术》2014年第2期114-118,141,共6页周新田 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改...
关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象 
普通晶体管与贴片晶体管知识问答(下)
《家电检修技术》2014年第2期63-64,共2页姚永佳 
问3:晶体管放大原理是怎样的?(续)答:(3)集电结的结面积很大。放大功能的内部条件示意图如图6所示。为使晶体管能放大电流,必须具备合理的外部条件:使发射结正偏,集电结反偏。从电位的角度看:NPN晶体管发射结正偏需VB>VE,集电结反偏需VC...
关键词：晶体管 知识问答 贴片 放大原理 放大功能 集电结 示意图 大电流 
薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型
《物理学报》2011年第11期730-734,共5页徐小波 张鹤鸣 胡辉勇 
国家部委资助项目(批准号:51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模型具有更好的光滑性;耗尽电容模型为纵向耗尽与横向耗尽电容...
关键词：耗尽电容 SIGE HBT SOI 
怎样检测晶体三极管
《职业》2010年第2Z期168-168,共1页焦向军 
晶体三极管又简称三极管,在实用电路中的故障率是相当高的,因此掌握其正确而快捷的检测方法是非常重要的。在此方面,笔者根据多年的工作经验谈一点体会及常用的方法。
关键词：实用电路 故障率 发射结 集电结 阻尼二极管 基区 阻尼管 电阻比 反向串联 电阻档 
三极管的检测方法与经验
《才智》2009年第36期166-166,共1页朱碧娥 
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助学生迅速掌握测判方法,现总结出四句口诀:"三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。"在此基础上再掌握性能好坏、放大倍数等其他各项的检测。
关键词：三颠倒 测不准 高频管 集电结 发射结 反向电流 放大倍数 半导体器件 导电类型 刻度线 
议晶体三极管的工作状态被引量：1
《科技经济市场》2007年第A08期139-140,共2页夏红钗 施晓钟 
用结偏置的判定法、电流关系判定法和电位判定法三种方法来判定晶体三极管的工作状态,以及三极管的放大工作状态的应用、饱和与截止工作状态的应用电路。
关键词：工作状态 发射结 集电结 放大 截止 饱和 反相器 
IGBT发展概述被引量：18
《电力电子》2006年第5期10-15,共6页亢宝位 
本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近(下层)结构改进(透明集电区)、耐压层附近(中层)结构改进(NPT、FS/SPT等)和近表面层(上层)结构改进(沟槽栅结构、注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-I...
关键词：IGBT 结构改进 性能改进 增强结构 IEGT SPT 集电区 集电结 
DVD视盘机主要元器件故障速修经验(下)
《家电检修技术》2006年第8期58-61,共4页王永琦 
关键词：DVD视盘机 故障速修 元器件 三极管 万用表 集电结 发射结 测量 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部