Sm部分取代Tb对TbCo/Cr薄膜磁光性能的影响  

Effects of Sm Substitution for Tb Partially on the Magneto-optical Properties of TbCo/Cr Films

作　　者：章平[1] 黄致新[2] 王安福[1] 张玉龙[1] 王辉[2] 

机构地区：[1]郧阳师范高等专科学校物理学系,湖北丹江口442700 [2]华中师范大学物理学系,湖北武汉430079

出　　处：《襄樊学院学报》2006年第5期33-36,共4页Journal of Xiangfan University

摘　　要：利用磁控溅射法制备了SmTbCo/Cr薄膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明:随着Sm含量的增加,(SmxTb1-x)31Co69薄膜的Ms、θk和R增加,而Hc随之减少;Sm含量在0.286～0.343范围内的(Sm0.286Tb0.714)31Co69(120nm)/Cr(240nm)和(Sm0.343Tb0.657)31Co69(120nm)/Cr(180nm)薄膜的磁光性能均满足光磁混合记录对介质的要求.SmTbCo/Cr films were prepared by magnetron sputtering. The effects of Sm Percentage on the magneto-optical properties of SmTbCo/Cr films were analyzed. The results showed that with the increase of Sm Percentage, and the Ms, 6k and R of the （SmxTb1-x）31Co69 films, the Hc decreases. The magneto-optical properties of （Sm0.286Tb0.714）31Co69 （120nm） /Cr （240nm） and （Sm0.343Tb0.657）31Co69 （120nm） /Cr（180nm） films satisfied the requirements for Hybrid recording.

关 键 词：磁控溅射 SmTbCo/Cr薄膜 Sm含量 磁光性能 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]