单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用  

Features and application of single-chip NV SRAM DS3070W

作　　者：冯涓[1] 赵振华[1] 

机构地区：[1]武汉工程大学电气信息学院,湖北武汉430073

出　　处：《国外电子元器件》2006年第12期49-51,共3页International Electronic Elements

摘　　要：DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序。DS3070W newly produced by Dallas Inc. is a single-chip consists of a 16Mb NV SRAM, a NV controller, a year 2000-compliant 16Mb NV SRAM with clock. It real-time clock and an internal rechargeable ML battery. The characteristics and operating principle of DS3070W are introduced,the typical application circuit with AT89C51 and software program code are given.

关 键 词：单芯片 非易失性存储器 DS3070W 实时时钟 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]