SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究  

A Dynamic Body Discharge Technique for Sense Amplifiers in SOI SRAM

作　　者：赵琳娜[1] 潘培勇[1] 陶建中[2] 薛忠杰[2] 

机构地区：[1]江南大学信息工程学院,江苏无锡214036 [2]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035

出　　处：《微电子学》2006年第6期740-742,共3页Microelectronics

摘　　要：在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。For a latch-type sense amplifier in SOI SRAM, a pair of small discharging FETs are employed to bring the bodies of cross-coupled sensing devices to ground rail dynamically. This dynamic body discharge technique eliminates body potential mismatches of PD SOI CMOS devices, achieving repeatable low threshold voltage and fast SRAM access time.

关 键 词：绝缘体上硅 部分耗尽 SRAM 动态体放电 灵敏放大器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]