潘培勇

作品数：4被引量：6H指数：2
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一款异步256kB SRAM的设计被引量：2
《电子与封装》2007年第10期17-20,共4页潘培勇 李红征 
在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,...
关键词：静态随机存储器 存储单元 译码器 灵敏放大器 地址变化探测电路 
基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计
《微计算机信息》2007年第03Z期282-283,306,共3页王春早 潘培勇 薛忠杰 
本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提...
关键词：EEPROM单元 阵列式灵敏放大器 Already-on(native)元件 
一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用被引量：2
《微计算机信息》2007年第02Z期282-283,共2页潘培勇 赵琳娜 王春早 薛忠杰 
本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。
关键词：静态随机存取存储器 地址变化探测器 触发器 
SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究被引量：2
《微电子学》2006年第6期740-742,共3页赵琳娜 潘培勇 陶建中 薛忠杰 
在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。
关键词：绝缘体上硅 部分耗尽 SRAM 动态体放电 灵敏放大器 
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