EEPROM单元

作品数：14被引量：12H指数：2
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深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2011年第3期518-521,共4页周昕杰 李蕾蕾 徐睿 于宗光 
国家科技重大专项资助项目(2008ZX01XXX)
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ...
关键词：总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固 
SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析被引量：1
《电子与封装》2010年第12期32-35,共4页吕纯 蒋婷 周昕杰 
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:...
关键词：SONOS EEPROM 辐射效应 非易失性存储器 FLOTOX 
EEPROM单元抗辐射版图设计技术
《电子与封装》2010年第5期22-24,29,共4页赵力 田海燕 周昕杰 
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的...
关键词：EEPROM单元 抗辐射 版图加固 
EEPROM单元辐射机理研究被引量：1
《电子与封装》2010年第3期19-22,共4页王晓玲 张国贤 周昕杰 
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元...
关键词：EEPROM 辐射机理 SONOS FLOTOX 
一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元
《微电子学与计算机》2008年第11期105-108,共4页张关保 刘文平 唐威 
为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对...
关键词：单层多晶EEPROM 浮栅 FN隧道 附加栅 
内嵌EEPROM的升压LED驱动器控制芯片设计
《半导体光电》2008年第2期300-303,共4页陈晓飞 邹雪城 曾子玉 金海 
设计了一款集成了输入串行数字接口、内嵌EEPROM单元的同步整流升压式DC-DC转换芯片,用于手机背光灯的白光发光二极管(LED)驱动控制。通过内嵌的8位EEPROM存储阵列电路对芯片进行配置可得到3个不同型号的芯片系列,分别驱动3、4、5个串...
关键词：白光LED驱动 数字接口 EEPROM单元 
基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计
《微计算机信息》2007年第03Z期282-283,306,共3页王春早 潘培勇 薛忠杰 
本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提...
关键词：EEPROM单元 阵列式灵敏放大器 Already-on(native)元件 
升级数码相机Firmware
《电脑知识与技术（过刊）》2007年第1期86-87,共2页E羽 
一、升级原理 以Canon系列数码相机为例，存储Firmware的载体为Main—IC内部核心的EEPROM单元，或者是单独的Flash ROM芯片。Main—IC为相机内主基板上的主芯片．负担了相机全部的通讯信号处理以及影像截取、处理运算能力．就相当于计...
关键词：FIRMWARE 数码相机 EEPROM单元 CANON FLASH ROM芯片 信号处理 运算能力 
EEPROM单元的电荷保持特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1290-1293,共4页成伟 郝跃 马晓华 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助项目~~
利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成...
关键词：电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应 
一种利用二管EEPROM单元实现四值存储的方法
《微电子学》2000年第2期97-99,共3页张征 程君侠 李蔚 
提出了一种利用常见的二管 (包括选通管 ) EEPROM实现四值存储的方法。相对于用四管单元实现四值存储 [1] ,该方法节省了芯片面积 ,使 EEPROM芯片的存储量增加一倍。由于只是在读写控制电路上加以改进 ,故适用于几乎所有通常的二管结构...
关键词：EEPROM 四值存储 二管单元 
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