成伟

作品数:1被引量:5H指数:1
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供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题:EEPROM单元阈值电压更多>>
发文领域:自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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EEPROM单元的电荷保持特性被引量:5
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1290-1293,共4页成伟 郝跃 马晓华 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助项目~~
利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成...
关键词:电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应 
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