EEPROM单元的电荷保持特性  

Data Retention in EEPROM Cells

作　　者：成伟[1] 郝跃[1] 马晓华[1] 刘红侠[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第7期1290-1293,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助项目~~

摘　　要：利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.We present a theoretical and experimental investigation of the date retention ability of EEPROM cells at a given voltage. An expression for EEPROM data retention is derived. The electrical characteristics are presented. The result shows that the data retention time varies linearly with the applied voltage in a log-log plot. Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM ceils is derived, and the experience formula is checked by experiment.

关 键 词：电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]