硅深层刻蚀技术实现3D集成  

作　　者：Laura Peters 

机构地区：[1]Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2006年第11期24-27,共4页Application of IC

摘　　要：3D 互连要求制作硅直通孔的刻蚀设备具有很好的均匀性,同时要求晶圆间具有可重复性和高的生产率。

关 键 词：刻蚀设备 技术实现 3D 集成 硅 可重复性 均匀性 生产率 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]