IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间  

出　　处：《电子元器件应用》2006年第12期I0012-I0012,共1页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。

关 键 词：DIRECTFET 功率MOSFET IR 空间 占位 国际整流器公司 功率半导体 封装技术 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]