硅片直接键合技术及应用  

Silicon Wafer Direct Bonding Technique and It’s Application

作　　者：唐国洪[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《电子器件》1996年第4期256-261,共6页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。This paper describes silicon wafer direct bonding, testing technique and it’s application in the high voltage power devices and dielectric isolation devices.

关 键 词：硅片直接键合 高压功率器件 介质隔离器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]