超深亚微米高速互连的信号串扰研究  

Research on the UDSM Interconnect Crosstalk

作　　者：史江一[1] 马晓华[1] 郝跃[1] 方建平[1] 朱志炜[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第4期540-544,559,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金(60506020/F040208)

摘　　要：探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制,提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型,通过频域变换方法对模型的有效性进行了理论分析。针对0.18μm工艺条件提出了该模型的测试结构,进行了流片和测量。实测结果表明,该模型能够较好地表征超深亚微米电路的高速互连串扰效应,能够定量计算片上互连线间的耦合串扰,给出不同工艺的互连线长度的优化值。In this paper we discuss the mechanism of the crosstalk in the ultra deep submicron （UDSM） circuit and present a coupling model for capacitor and inductor. The validity of the model is analyzed in frquency domain. The peper also designs a test structure based on the 0.18μm technology, and verified in silicon. Finally, the test results show that the model is compatible with the crosstalk in the UDSM, and is able to quarrtificationally evaluate the crosstalk between the coupled lines and optimize the maximum length of interconnect.

关 键 词：串扰 互连 超深亚微米 信号完整性 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]