新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器  

New type of SiO_2 gate insulator a-Si TFT uncooled infrared detector

作　　者：刘兴明[1] 韩琳[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《红外与激光工程》2006年第6期764-766,770,共4页Infrared and Laser Engineering

基　　金：国家自然科学基金委创新研究群体科学基金支持项目(60221502)

摘　　要：对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。The amorphous silicon（a-Si） thin film transistor （TFr） is studied and used as uncooled infrared （IR） detector. A new type of SiO2 gate insulator a-Si TFr uncooled infrared detector is presented. The basic mechanism of SiO2 gate insulator a-Si TFr uncoolcd infrared detector is similar to that of conventional SiNx gate insulator a-Si TFr. The detector has nigh responsivity and temperature stability in performance. It also has the advantage of preferable technique repetition and gate insulator deposition uniformity.

关 键 词：非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 SIO2栅介质 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]