Mentor新一代45纳米工艺的OPC技术  

作　　者：崔澎 

出　　处：《电子产品世界》2007年第1期72-72,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：低k1光刻（Photolithography）工艺提高了RET（Resolution Enhancement Technology）在纳米设计中的应用复杂度。在45纳米，更多的复杂模式、工艺的窗口修正（window correction）、以及验证需求增加了计算负担。在双重压力下，45纳米工艺需要更加先进的光刻工具。

关 键 词：纳米工艺 OPC技术 纳米设计 复杂度 光刻 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]